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有关一种中空纳米槽型膜电极的制备方法及其应用这方面的知识，估计很多人不是太了解，今天就给大家详细的介绍一下关于一种中空纳米槽型膜电极的制备方法及其应用的相关内容。

1、 《一种中空纳米槽型膜电极的制备方法及其应用》是中国科学院大连化学物理研究所于2019年12月14日申请的专利，该专利公布号为CN112993349A，专利公布日为2021年6月18日，发明人是侯明、齐满满、秦晓平、张洪杰、邵志刚。

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